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MCAC53N06Y-TP

MCAC53N06Y-TP

Solo per riferimento

Numero parte MCAC53N06Y-TP
PNEDA Part # MCAC53N06Y-TP
Descrizione N-CHANNEL,MOSFETS,DFN5060 PACKAG
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 45.450
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCAC53N06Y-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCAC53N06Y-TP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MCAC53N06Y-TP, MCAC53N06Y-TP Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 789,01 KB)
PDFMCAC53N06Y-TP Datasheet Copertura
MCAC53N06Y-TP Datasheet Pagina 2 MCAC53N06Y-TP Datasheet Pagina 3 MCAC53N06Y-TP Datasheet Pagina 4 MCAC53N06Y-TP Datasheet Pagina 5

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MCAC53N06Y-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C53A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1988pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)70W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN5060
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

158W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

H2PAK-6

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

XR46000ESETR

MaxLinear, Inc.

Produttore

MaxLinear, Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Produttore

IXYS

Serie

PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

AON6242

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6370pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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530mOhm @ 3A, 10V

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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