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MBRTA50035R

MBRTA50035R

Solo per riferimento

Numero parte MBRTA50035R
PNEDA Part # MBRTA50035R
Descrizione DIODE SCHOTTKY 35V 250A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.564
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRTA50035R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRTA50035R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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MBRTA50035R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)250A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If700mV @ 250A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 35V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

400mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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Produttore

Power Integrations

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

16.5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Configurazione diodi

3 Common Anode

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

970mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

800µA @ 120V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

890mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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