Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

MBRT600200R

MBRT600200R

Solo per riferimento

Numero parte MBRT600200R
PNEDA Part # MBRT600200R
Descrizione DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT600200R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT600200R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT600200R, MBRT600200R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 792,8 KB)
PDFMBRT600150R Datasheet Copertura
MBRT600150R Datasheet Pagina 2 MBRT600150R Datasheet Pagina 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • MBRT600200R Datasheet
  • where to find MBRT600200R
  • GeneSiC Semiconductor

  • GeneSiC Semiconductor MBRT600200R
  • MBRT600200R PDF Datasheet
  • MBRT600200R Stock

  • MBRT600200R Pinout
  • Datasheet MBRT600200R
  • MBRT600200R Supplier

  • GeneSiC Semiconductor Distributor
  • MBRT600200R Price
  • MBRT600200R Distributor

MBRT600200R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If920mV @ 300A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

I prodotti a cui potresti essere interessato

BYQ28E-200/H,127

WeEn Semiconductors

Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BAW74

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

MBR40H60PT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

830mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

BAW156HMFHT116

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

215mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5nA @ 75V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SSD3

MBR3060PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (TO-3P)

Venduto di recente

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204

EN6360QI

EN6360QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-5.8V 46W

NUP2201MR6T1G

NUP2201MR6T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

AD842KQ

AD842KQ

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 14CERDIP

A3P250-VQG100I

A3P250-VQG100I

Microsemi

IC FPGA 68 I/O 100VQFP

74HC245D

74HC245D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC TRANSCVR NON-INVERT 6V 20SOIC

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

PCMB063T-3R3MS

PCMB063T-3R3MS

Susumu

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

SMAJ6.0A

SMAJ6.0A

Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA