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MBRT20045R

MBRT20045R

Solo per riferimento

Numero parte MBRT20045R
PNEDA Part # MBRT20045R
Descrizione DIODE MODULE 45V 200A 3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRT20045R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRT20045R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRT20045R, MBRT20045R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 752,64 KB)
PDFMBRT20080R Datasheet Copertura
MBRT20080R Datasheet Pagina 2 MBRT20080R Datasheet Pagina 3

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MBRT20045R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Anode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)45V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If750mV @ 100A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

70V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

70mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

APT2X60DC120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 60A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.2mA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

SBLB25L30CTHE3_A/P

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

12.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

390mV @ 12.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

900µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

DD260N12KAHPSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

800µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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