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MBRM2H100T3G

MBRM2H100T3G

Solo per riferimento

Numero parte MBRM2H100T3G
PNEDA Part # MBRM2H100T3G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 106.218
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRM2H100T3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRM2H100T3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBRM2H100T3G, MBRM2H100T3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 102,82 KB)
PDFNRVBM2H100T3G Datasheet Copertura
NRVBM2H100T3G Datasheet Pagina 2 NRVBM2H100T3G Datasheet Pagina 3 NRVBM2H100T3G Datasheet Pagina 4 NRVBM2H100T3G Datasheet Pagina 5

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MBRM2H100T3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If840mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr20µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-216AA
Pacchetto dispositivo fornitorePowermite
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123HE

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

AU1PM-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

BYC8-1200PQ

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Produttore

WeEn Semiconductors

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3.2V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

SS2P5HM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

HS183100

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

180A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

910mV @ 180A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 100V

Capacità @ Vr, F

4800pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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