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MBRM110ET3G

MBRM110ET3G

Solo per riferimento

Numero parte MBRM110ET3G
PNEDA Part # MBRM110ET3G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRM110ET3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRM110ET3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBRM110ET3G, MBRM110ET3G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 81,91 KB)
PDFMBRM110ET3 Datasheet Copertura
MBRM110ET3 Datasheet Pagina 2 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 3 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 4 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 5 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 6 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 7 MBRM110ET3 Datasheet Pagina 8

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MBRM110ET3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)10V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If530mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 10V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-216AA
Pacchetto dispositivo fornitorePowermite
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

BAT86,113

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AG, DO-34, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-34

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

S15JCHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

93pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

D452N12EVFXPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

450A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Screw Mount

Pacchetto / Custodia

Nonstandard

Pacchetto dispositivo fornitore

FL54

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

S3MBHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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