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MBRF15H35CT-E3/45

MBRF15H35CT-E3/45

Solo per riferimento

Numero parte MBRF15H35CT-E3/45
PNEDA Part # MBRF15H35CT-E3-45
Descrizione DIODE SCHOTTKY ITO-220AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRF15H35CT-E3/45 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRF15H35CT-E3/45
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRF15H35CT-E3/45, MBRF15H35CT-E3/45 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 148,22 KB)
PDFMBR1560CT-2HE3/45 Datasheet Copertura
MBR1560CT-2HE3/45 Datasheet Pagina 2 MBR1560CT-2HE3/45 Datasheet Pagina 3 MBR1560CT-2HE3/45 Datasheet Pagina 4 MBR1560CT-2HE3/45 Datasheet Pagina 5

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MBRF15H35CT-E3/45 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie*
Configurazione diodi-
Tipo di diodo-
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)-
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)-
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If-
Velocità-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr-
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Configurazione diodi

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Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

305A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 600A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40mA @ 800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y2-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y2-DCB

MURF10010R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244

SBS811-S-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

20ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.25mA @ 15V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VEC

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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