MBRD835LT4H
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| Numero parte | MBRD835LT4H |
| PNEDA Part # | MBRD835LT4H |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.986 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBRD835LT4H Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBRD835LT4H |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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MBRD835LT4H Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 35V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.4mA @ 35V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 40V Capacità @ Vr, F 1.6pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-80 MiniMELF Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
