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MBRB41H100CTT4G

MBRB41H100CTT4G

Solo per riferimento

Numero parte MBRB41H100CTT4G
PNEDA Part # MBRB41H100CTT4G
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.208
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBRB41H100CTT4G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBRB41H100CTT4G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBRB41H100CTT4G, MBRB41H100CTT4G Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 112,37 KB)
PDFMBR41H100CT Datasheet Copertura
MBR41H100CT Datasheet Pagina 2 MBR41H100CT Datasheet Pagina 3 MBR41H100CT Datasheet Pagina 4 MBR41H100CT Datasheet Pagina 5 MBR41H100CT Datasheet Pagina 6 MBR41H100CT Datasheet Pagina 7 MBR41H100CT Datasheet Pagina 8 MBR41H100CT Datasheet Pagina 9

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MBRB41H100CTT4G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 100V
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK-3

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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GeneSiC Semiconductor

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Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 300V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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