MBR80100R
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| Numero parte | MBR80100R |
| PNEDA Part # | MBR80100R |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.938 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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MBR80100R Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR80100R |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MBR80100R Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky, Reverse Polarity |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 80A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 80A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore PMDTM Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
