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MBR7530

MBR7530

Solo per riferimento

Numero parte MBR7530
PNEDA Part # MBR7530
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 75A DO5
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.736
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR7530 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR7530
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBR7530, MBR7530 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 635,29 KB)
PDFMBR7540R Datasheet Copertura
MBR7540R Datasheet Pagina 2 MBR7540R Datasheet Pagina 3

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MBR7530 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If650mV @ 75A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5mA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / CustodiaDO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-5
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 471A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

35mA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AA, DO-8, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AA (DO-8)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 200°C

VS-12TQ045-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

710mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.75mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

APT60D40BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

STTH2006W

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-247-2 (Straight Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-247

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

1N4001G-T

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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