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MBR20035CT

MBR20035CT

Solo per riferimento

Numero parte MBR20035CT
PNEDA Part # MBR20035CT
Descrizione DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.178
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR20035CT Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR20035CT
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR20035CT, MBR20035CT Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 536,75 KB)
PDFMBR20040CTR Datasheet Copertura
MBR20040CTR Datasheet Pagina 2 MBR20040CTR Datasheet Pagina 3

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MBR20035CT Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)35V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If650mV @ 100A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr5mA @ 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTwin Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreTwin Tower

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1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.87V @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

73ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-94

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

MBR2045CTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

570mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

MBR50045CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 25A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 90V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB (D²PAK)

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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