MBR12020CT
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| Numero parte | MBR12020CT |
| PNEDA Part # | MBR12020CT |
| Descrizione | DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.870 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | gen 5 - gen 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR12020CT Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR12020CT |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR12020CT Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 20V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 120A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 120A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 20V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB |
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