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MBR1090G

MBR1090G

Solo per riferimento

Numero parte MBR1090G
PNEDA Part # MBR1090G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO220-2
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.496
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR1090G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR1090G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBR1090G, MBR1090G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 183,64 KB)
PDFMBR1080 Datasheet Copertura
MBR1080 Datasheet Pagina 2 MBR1080 Datasheet Pagina 3 MBR1080 Datasheet Pagina 4 MBR1080 Datasheet Pagina 5

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MBR1090G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)90V
Corrente - Media Rettificata (Io)10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 10A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 90V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

6.6ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

40µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

0402 (1006 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

DCSP1006010-N1

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 4A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

200pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

LPTL

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

GP10-4004-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ES1PCHE3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 125°C

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