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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85RS512TPNF-G-JNERE1
PNEDA Part # MB85RS512TPNF-G-JNERE1
Descrizione IC FRAM 512K SPI 30MHZ 8SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85RS512TPNF-G-JNERE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85RS512TPNF-G-JNERE1, MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 1.834,82 KB)
PDFMB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Copertura
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 2 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 3 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 4 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 5 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 6 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 7 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 8 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 9 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 10 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Datasheet Pagina 11

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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock30MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

S34ML04G200TFI900

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-2

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

IS43R32160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

144-LFBGA (12x12)

IDT71256L20Y

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOJ

BRCB016GWL-3E2

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-UFBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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