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MB85RC128PNF-G-JNE1

MB85RC128PNF-G-JNE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85RC128PNF-G-JNE1
PNEDA Part # MB85RC128PNF-G-JNE1
Descrizione IC FRAM 128K I2C 400KHZ 8SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.878
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85RC128PNF-G-JNE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85RC128PNF-G-JNE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85RC128PNF-G-JNE1, MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 598,93 KB)
PDFMB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Copertura
MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 2 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 3 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 4 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 5 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 6 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 7 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 8 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 9 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 10 MB85RC128PNF-G-JNE1 Datasheet Pagina 11

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MB85RC128PNF-G-JNE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria128Kb (16K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LBGA (12x18)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (1M x 32, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

170ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

E11043000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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