MB85R4M2TFN-G-ASE1
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| Numero parte | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP | ||||||||||||||||||
| Produttore | Fujitsu Electronics | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 426 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 Risorse
| Brand | Fujitsu Electronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
MB85R4M2TFN-G-ASE1, MB85R4M2TFN-G-ASE1 Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 577,11 KB)
  
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 Specifiche
| Produttore | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 150ns |
| Tempo di accesso | 150ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP |
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