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M95080-RMN6TP

M95080-RMN6TP

Solo per riferimento

Numero parte M95080-RMN6TP
PNEDA Part # M95080-RMN6TP
Descrizione IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95080-RMN6TP Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95080-RMN6TP
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95080-RMN6TP, M95080-RMN6TP Datasheet (Totale pagine: 44, Dimensioni: 775,83 KB)
PDFM95080-RMN6P Datasheet Copertura
M95080-RMN6P Datasheet Pagina 2 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 3 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 4 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 5 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 6 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 7 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 8 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 9 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 10 M95080-RMN6P Datasheet Pagina 11

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M95080-RMN6TP Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

EDW2032BBBG-7A-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

SGRAM - GDDR5

Dimensione della memoria

2Gb (64M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.75GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.31V ~ 1.65V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

170-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

170-FBGA (12x14)

MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F512G08CMCBBH7-6R:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

152-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

152-TBGA (14x18)

BR24C04-10TU-1.8

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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