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M95040-DRDW3TP/K

M95040-DRDW3TP/K

Solo per riferimento

Numero parte M95040-DRDW3TP/K
PNEDA Part # M95040-DRDW3TP-K
Descrizione IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8TSSOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.438
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M95040-DRDW3TP/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM95040-DRDW3TP/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M95040-DRDW3TP/K, M95040-DRDW3TP/K Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 765,95 KB)
PDFM95040-DRDW3TP/K Datasheet Copertura
M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 2 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 3 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 4 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 5 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 6 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 7 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 8 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 9 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 10 M95040-DRDW3TP/K Datasheet Pagina 11

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M95040-DRDW3TP/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

233MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.2ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

576-BBGA, FCBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

CY7C1371S-133AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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