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M24C08-DRMF3TG/K

M24C08-DRMF3TG/K

Solo per riferimento

Numero parte M24C08-DRMF3TG/K
PNEDA Part # M24C08-DRMF3TG-K
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8MLP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M24C08-DRMF3TG/K Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM24C08-DRMF3TG/K
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M24C08-DRMF3TG/K, M24C08-DRMF3TG/K Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 602,98 KB)
PDFM24C08-DRMF3TG/K Datasheet Copertura
M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 2 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 3 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 4 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 5 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 6 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 7 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 8 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 9 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 10 M24C08-DRMF3TG/K Datasheet Pagina 11

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M24C08-DRMF3TG/K Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina4ms
Tempo di accesso450ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (2x3)

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Serie

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

3.5µs

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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Through Hole

Pacchetto / Custodia

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

24-CDIP

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

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*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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