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LN100LA-G

LN100LA-G

Solo per riferimento

Numero parte LN100LA-G
PNEDA Part # LN100LA-G
Descrizione MOSFET 2N-CH 1200V
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.204
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LN100LA-G Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLN100LA-G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
LN100LA-G, LN100LA-G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 730,02 KB)
PDFLN100LA-G Datasheet Copertura
LN100LA-G Datasheet Pagina 2 LN100LA-G Datasheet Pagina 3 LN100LA-G Datasheet Pagina 4 LN100LA-G Datasheet Pagina 5 LN100LA-G Datasheet Pagina 6

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LN100LA-G Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Cascoded)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-VFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore6-LFGA (3x3)

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2297pF @ 25V

Potenza - Max

53W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V, 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA, 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Potenza - Max

640mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

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Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

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