LL103B-GS08
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| Numero parte | LL103B-GS08 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | LL103B-GS08 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF | ||||||||||||||||||
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.885 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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LL103B-GS08 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LL103B-GS08 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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LL103B-GS08 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
| Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 80V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123FL Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 0.58V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 60V Capacità @ Vr, F 345pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia L-FLAT™ Pacchetto dispositivo fornitore L-FLAT™ (4x5.5) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
