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KBL10-E4/51

KBL10-E4/51

Solo per riferimento

Numero parte KBL10-E4/51
PNEDA Part # KBL10-E4-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KBL10-E4/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKBL10-E4/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
KBL10-E4/51, KBL10-E4/51 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 89,05 KB)
PDFKBL06-E4/51 Datasheet Copertura
KBL06-E4/51 Datasheet Pagina 2 KBL06-E4/51 Datasheet Pagina 3 KBL06-E4/51 Datasheet Pagina 4

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KBL10-E4/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)1kV
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1000V
Temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, KBL
Pacchetto dispositivo fornitoreKBL

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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*

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-

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Tensione - Picco inverso (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, TS-6P

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-6P

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 100A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 600V

Temperatura di esercizio

-

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