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JFTJ105

JFTJ105

Solo per riferimento

Numero parte JFTJ105
PNEDA Part # JFTJ105
Descrizione JFET N-CH 25V 1W SOT223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JFTJ105 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJFTJ105
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
JFTJ105, JFTJ105 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 545,92 KB)
PDFJFTJ105 Datasheet Copertura
JFTJ105 Datasheet Pagina 2 JFTJ105 Datasheet Pagina 3 JFTJ105 Datasheet Pagina 4 JFTJ105 Datasheet Pagina 5 JFTJ105 Datasheet Pagina 6 JFTJ105 Datasheet Pagina 7 JFTJ105 Datasheet Pagina 8

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JFTJ105 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)500mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id4.5V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)3 Ohms
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223-4

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 0.5nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

400mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

25V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-71-6

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-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1.5V @ 3nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Resistenza - RDS (On)

7 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

250pA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 500pA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

25 Ohms

Potenza - Max

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