JANTXV1N6623US

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Numero parte | JANTXV1N6623US |
PNEDA Part # | JANTXV1N6623US |
Descrizione | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.904 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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JANTXV1N6623US Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6623US |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6623US Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 880V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 880V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 880mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 600mV @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |