JANTXV1N5811URS
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| Numero parte | JANTXV1N5811URS |
| PNEDA Part # | JANTXV1N5811URS |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.302 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N5811URS Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N5811URS |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N5811URS Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 10A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia P600, Axial Pacchetto dispositivo fornitore P600 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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