JANTX1N5195
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| Numero parte | JANTX1N5195 |
| PNEDA Part # | JANTX1N5195 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.888 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX1N5195 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N5195 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N5195 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/118 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 180V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
