JANTX1N3595US
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| Numero parte | JANTX1N3595US |
| PNEDA Part # | JANTX1N3595US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200MA B-MELF |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.580 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX1N3595US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N3595US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N3595US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-S-19500-241 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1nA @ 125V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
