JAN2N6298
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| Numero parte | JAN2N6298 |
| PNEDA Part # | JAN2N6298 |
| Descrizione | TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.664 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN2N6298 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN2N6298 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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JAN2N6298 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/540 |
| Tipo di transistor | PNP - Darlington |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 60V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 80mA, 8A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500µA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Potenza - Max | 64W |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-213AA, TO-66-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 (TO-213AA) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 65V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Potenza - Max 500mW Frequenza - Transizione 150MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 65V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 15nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Potenza - Max 310mW Frequenza - Transizione 150MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 300mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 15V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 3mA, 300mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 30mA, 400mV Potenza - Max 350mW Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 800mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V Potenza - Max 1.2W Frequenza - Transizione 250MHz Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 2A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A Corrente - Taglio collettore (Max) 1µA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V Potenza - Max 900mW Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD |
