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JAN2N4957

JAN2N4957

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N4957
PNEDA Part # JAN2N4957
Descrizione RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.910
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N4957 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N4957
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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JAN2N4957 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Guadagno25dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-72-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-72

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Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Guadagno

9.4dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

HFA3127B96

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

BFP182RE7764HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143R-4

HFA3128RZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

BFG35,115

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

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