JAN2N2605
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| Numero parte | JAN2N2605 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JAN2N2605 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | TRANS PNP 60V 0.03A TO46 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 4.746 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JAN2N2605 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN2N2605 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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JAN2N2605 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/354 |
| Tipo di transistor | PNP |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 30mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 60V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 10nA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Potenza - Max | 400mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46-3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 1mA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 12V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 250MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor PNP - Darlington Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 60V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V Potenza - Max 250mW Frequenza - Transizione 220MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 80V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 50MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/371 Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 3.5A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 500V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 700mA, 3.5A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 1A, 5V Potenza - Max 5W Frequenza - Transizione - Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-204AA, TO-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-204AA (TO-3) |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 7A Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 30V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 300mA, 6.5A Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V Potenza - Max 3W Frequenza - Transizione 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 |
