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JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Solo per riferimento

Numero parte JAN1N6642UB
PNEDA Part # JAN1N6642UB
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 300MA UB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.082
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN1N6642UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN1N6642UB
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JAN1N6642UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/578
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)75V
Corrente - Media Rettificata (Io)300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 75V
Capacità @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore3-UB (3.09x2.45)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

GF1B

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA (DO-214AC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

ES3A-M3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

FR607-AP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 40V

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

R6, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

R-6

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VSSA310SHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, TMBS®

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

175pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

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