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JAN1N6641US

JAN1N6641US

Solo per riferimento

Numero parte JAN1N6641US
PNEDA Part # JAN1N6641US
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.352
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN1N6641US Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN1N6641US
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JAN1N6641US Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/609
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 300mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

12A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

78pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

S320J

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

320A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 300A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-60°C ~ 180°C

XBS053V13R-G

Torex Semiconductor Ltd

Produttore

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

470mV @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

8ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

12pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323A

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

BYS10-45HE3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

PMEG4002EB,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 25V

Capacità @ Vr, F

20pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-79, SOD-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-523

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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