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JAN1N6638U

JAN1N6638U

Solo per riferimento

Numero parte JAN1N6638U
PNEDA Part # JAN1N6638U
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.012
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN1N6638U Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN1N6638U
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JAN1N6638U Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/578
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)150V
Corrente - Media Rettificata (Io)300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 200mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 150V
Capacità @ Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BYT54K-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SOD-57, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-57

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SF1608PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

85pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (TO-3P)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG050T150EPDZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

800pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP15

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

SDT8A120P5Q-13D

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

120V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 120V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 5

Temperatura di esercizio - Giunzione

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