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JAN1N6625US

JAN1N6625US

Solo per riferimento

Numero parte JAN1N6625US
PNEDA Part # JAN1N6625US
Descrizione DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.794
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN1N6625US Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN1N6625US
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JAN1N6625US Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/585
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1100V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.75V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 1100V
Capacità @ Vr, F10pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5A
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

RA

Pacchetto dispositivo fornitore

RA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

PMEG10030ELPX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

770mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

8ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

450nA @ 100V

Capacità @ Vr, F

200pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP5

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

1N5313UR-1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

240NQ045-1

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

610mV @ 240A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

10300pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

HALF-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

PRM1-1 (Half Pak Module)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SD125SC150B.T

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

890mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 200°C

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