JAN1N5806
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| Numero parte | JAN1N5806 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JAN1N5806 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.382 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JAN1N5806 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N5806 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N5806 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | A, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F 18pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Semtech Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 800V Capacità @ Vr, F 92pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore Axial Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/228 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 25A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.2mA @ 15V Capacità @ Vr, F 2000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore 2-ThinKey™ Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
