JAN1N3646
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| Numero parte | JAN1N3646 |
| PNEDA Part # | JAN1N3646 |
| Descrizione | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.300 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N3646 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N3646 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N3646 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1750V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 250mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 5V @ 250mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1750V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | S, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | S, Axial |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
