JAN1N3595AUS
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| Numero parte | JAN1N3595AUS |
| PNEDA Part # | JAN1N3595AUS |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 125V 150MA |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N3595AUS Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N3595AUS |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N3595AUS Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 125V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 150mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2nA @ 125V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 3600V Corrente - Media Rettificata (Io) 950A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.78V @ 3000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100mA @ 3600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 250V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F 5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 34A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 40µA @ 420V Capacità @ Vr, F 594pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-PowerSOP Module Pacchetto dispositivo fornitore PG-HDSOP-10-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore IXYS Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 250V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.3mA @ 250V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
