J112
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| Numero parte | J112 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | J112_105 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | JFET N-CHAN 35V TO92 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 51.587 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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J112 Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J112 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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J112 Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 35V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 5V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohms |
| Potenza - Max | 350mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
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