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J107

J107

Solo per riferimento

Numero parte J107
PNEDA Part # J107
Descrizione JFET N-CH 25V 625MW TO92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

J107 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJ107
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
J107, J107 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 545,92 KB)
PDFJFTJ105 Datasheet Copertura
JFTJ105 Datasheet Pagina 2 JFTJ105 Datasheet Pagina 3 JFTJ105 Datasheet Pagina 4 JFTJ105 Datasheet Pagina 5 JFTJ105 Datasheet Pagina 6 JFTJ105 Datasheet Pagina 7 JFTJ105 Datasheet Pagina 8

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J107 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)25V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id500mV @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)8 Ohms
Potenza - Max625mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

240µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

3-VTFP

2SK715W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

14.5mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SPA

PN4393

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MMBFJ201

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

J111-D74Z

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

35V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

30 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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