IXZ631DF12N100
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| Numero parte | IXZ631DF12N100 |
| PNEDA Part # | IXZ631DF12N100 |
| Descrizione | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA |
| Produttore | IXYS-RF |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.600 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXZ631DF12N100 Risorse
| Brand | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXZ631DF12N100 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IXZ631DF12N100 Specifiche
| Produttore | IXYS-RF |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8V ~ 18V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 72A, 72A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1000V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 2.4ns, 1.55ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 10-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-SMD |
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Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.5A, 1.5A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 29ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.7A, 2.4A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 28V Tempo di salita / discesa (tipico) 50ns, 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 13V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 130mA, 130mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 250ns, 250ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 6.5V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 25V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 14ns Temperatura di esercizio -30°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (3x3) |
