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IXYT20N120C3D1HV

IXYT20N120C3D1HV

Solo per riferimento

Numero parte IXYT20N120C3D1HV
PNEDA Part # IXYT20N120C3D1HV
Descrizione IGBT
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.722
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYT20N120C3D1HV Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYT20N120C3D1HV
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXYT20N120C3D1HV Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieXPT™, GenX3™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)36A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)88A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
Potenza - Max230W
Switching Energy1.3mJ (on), 1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge53nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/90ns
Condizione di test600V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)29ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268HV

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/200ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRG4RC10SD

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Potenza - Max

38W

Switching Energy

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

76ns/815ns

Condizione di test

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

1040W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

350nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

AUIRGF66524D0

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

Potenza - Max

214W

Switching Energy

915µJ (on), 280µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/75ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

176ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/149ns

Condizione di test

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

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Pacchetto / Custodia

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