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IXYR50N120C3D1

IXYR50N120C3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXYR50N120C3D1
PNEDA Part # IXYR50N120C3D1
Descrizione IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYR50N120C3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYR50N120C3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXYR50N120C3D1, IXYR50N120C3D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 183,16 KB)
PDFIXYR50N120C3D1 Datasheet Copertura
IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 2 IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 3 IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 4 IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 5 IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 6 IXYR50N120C3D1 Datasheet Pagina 7

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IXYR50N120C3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)56A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)210A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 50A
Potenza - Max290W
Switching Energy3mJ (on), 1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge142nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C28ns/133ns
Condizione di test600V, 50A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)195ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

339W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

208nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

730ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Potenza - Max

77W

Switching Energy

56µJ (on), 122µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/75ns

Condizione di test

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

74ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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FGD3245G2-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

900ns/5.4µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Potenza - Max

395W

Switching Energy

2.4mJ (on), 950µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

164nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/144ns

Condizione di test

400V, 75A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

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