IXYP20N65C3D1M
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| Numero parte | IXYP20N65C3D1M |
| PNEDA Part # | IXYP20N65C3D1M |
| Descrizione | IGBT 650V 18A 50W TO220 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.528 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXYP20N65C3D1M Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXYP20N65C3D1M |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IXYP20N65C3D1M Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 18A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Potenza - Max | 50W |
| Switching Energy | 430µJ (on), 350µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 19ns/80ns |
| Condizione di test | 400V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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