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IXXP12N65B4D1

IXXP12N65B4D1

Solo per riferimento

Numero parte IXXP12N65B4D1
PNEDA Part # IXXP12N65B4D1
Descrizione IGBT
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.074
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXXP12N65B4D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXXP12N65B4D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXXP12N65B4D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieXPT™, GenX4™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)38A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)70A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 12A
Potenza - Max160W
Switching Energy440µJ (on), 220µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge34nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C13ns/158ns
Condizione di test400V, 12A, 20Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)43ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.6mJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

300V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

1.75mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

69nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/180ns

Condizione di test

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

FGPF45N45TTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

51.6W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

110µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/116ns

Condizione di test

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

278W

Switching Energy

365µJ (on), 560µJ (off)

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Gate Charge

195nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

52ns/240ns

Condizione di test

390V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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