IXTT1N450HV
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| Numero parte | IXTT1N450HV | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXTT1N450HV | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 160 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXTT1N450HV Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTT1N450HV |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTT1N450HV Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 4500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85Ohm @ 50mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto / Custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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