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IXTN8N150L

IXTN8N150L

Solo per riferimento

Numero parte IXTN8N150L
PNEDA Part # IXTN8N150L
Descrizione MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTN8N150L Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTN8N150L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTN8N150L, IXTN8N150L Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 149,41 KB)
PDFIXTN8N150L Datasheet Copertura
IXTN8N150L Datasheet Pagina 2 IXTN8N150L Datasheet Pagina 3 IXTN8N150L Datasheet Pagina 4 IXTN8N150L Datasheet Pagina 5

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IXTN8N150L Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 4A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 15V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)545W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1535pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SUP40010EL-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11155pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SIE830DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

WFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

10-PolarPAK® (S)

Pacchetto / Custodia

10-PolarPAK® (S)

Produttore

EPC

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 29A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 14mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 910mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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