IXTN36N50
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| Numero parte | IXTN36N50 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IXTN36N50 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227 | ||||||||||||||||||
| Produttore | IXYS | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 101 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IXTN36N50 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTN36N50 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IXTN36N50 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3877pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore IXYS Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
