IXTN32P60P
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| Numero parte | IXTN32P60P |
| PNEDA Part # | IXTN32P60P |
| Descrizione | MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.640 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTN32P60P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTN32P60P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTN32P60P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | PolarP™ |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 890W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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