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IXTK46N50L

IXTK46N50L

Solo per riferimento

Numero parte IXTK46N50L
PNEDA Part # IXTK46N50L
Descrizione MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTK46N50L Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTK46N50L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXTK46N50L, IXTK46N50L Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 117,38 KB)
PDFIXTK46N50L Datasheet Copertura
IXTK46N50L Datasheet Pagina 2 IXTK46N50L Datasheet Pagina 3 IXTK46N50L Datasheet Pagina 4 IXTK46N50L Datasheet Pagina 5

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IXTK46N50L Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C46A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260nC @ 15V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)700W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 (IXTK)
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

482pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SUM45N25-58-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

310W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6450pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta)

Temperatura di esercizio

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